高新技術(shù)
問題
銦的摻入高度依賴于過程溫度（III族 / V族比是另一個(gè)重要因素）。因此，非常需要在量子阱（MQW）生長過程中控制襯底溫度。工藝側(cè)(晶片側(cè))溫度測量的傳統(tǒng)解決方案是發(fā)射率校正高溫計(jì)(ECP)。但是，對于本應(yīng)用中使用的典型晶圓，ECP測量的是基座溫度而不是襯底溫度。如果襯底的正面經(jīng)過拋光，并且在加工過程中襯底保持平整，那么這種方法非常有效。
實(shí)際工藝過程中，晶圓在某些反應(yīng)器中可以稍微向一側(cè)抬起，而在大多數(shù)反應(yīng)器中可能發(fā)生翹曲。這就造成了襯底溫度的不均勻性。遺憾的是，對于紅外透明襯底，ECP不能檢測到非均勻性。來自ECP的測量可能因此會誤導(dǎo)MOCVD 反應(yīng)器用戶，使其認(rèn)為測量的是襯底的真實(shí)溫度.
近年來，圖案化藍(lán)寶石襯底（PSS）已在生產(chǎn)中被廣泛采用。對于帶圖案的表面，ECP失去了其反射率測量的準(zhǔn)確性，進(jìn)而失去了溫度測量的準(zhǔn)確性，即使在基座上也是如此。
方案
利用GaN外延層的不透明性，工作在400 nm附近或以下的高溫計(jì)可以精確測量襯底溫度。紫外 高溫計(jì)的概念最初是由桑迪亞國家實(shí)驗(yàn)室提出的，并且商業(yè)化直到最近才非常成功。
客戶獲益
真正的晶圓溫度測量，而不是基座溫度測量
圖形藍(lán)寶石襯底的精確溫度測量
線性生長溫度–波長
提高產(chǎn)量
